Hersteller Produktnummer:
2SC5415AF-TD-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC5415AF-TD-E-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount PCP
Inventar:
12834965
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2SC5415AF-TD-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
6.7GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gewinnen
9dB
Leistung - Max
800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
90 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
PCP
Basis-Produktnummer
2SC5415
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2832-2SC5415AF-TD-ETR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BFR193WH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
29118
TEILNUMMER
BFR193WH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.07
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