Hersteller Produktnummer:
2SC4134S-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC4134S-E-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 1A TP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Through Hole TP
Inventar:
12834724
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2SC4134S-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
TP
Basis-Produktnummer
2SC4134
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2156-2SC4134S-E-ON
ONSONS2SC4134S-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
TTC004B,Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TTC004B,Q-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
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