Hersteller Produktnummer:
2SC3956E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3956E-DG
Beschreibung:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 200 mA 300MHz 1.3 W Through Hole TO-126ML
Inventar:
8000 Stück Neu Original Auf Lager
12931598
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2SC3956E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Leistung - Max
1.3 W
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126ML
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,158
Andere Namen
ONSONS2SC3956E
2156-2SC3956E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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