Hersteller Produktnummer:
2SC3752M-CB11
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3752M-CB11-DG
Beschreibung:
BIP NPN 3A 800V
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 30 W Through Hole TO-220ML
Inventar:
3116 Stück Neu Original Auf Lager
12967577
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SC3752M-CB11 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
800 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 300mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 200mA, 5V
Leistung - Max
30 W
Frequenz - Übergang
15MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220ML
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
430
Andere Namen
ONSONS2SC3752M-CB11
2156-2SC3752M-CB11
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
EC3201C-TL
BIP NPN 0.15A 50V
2N4126
TRANS PNP 25V 0.2A TO92
2SA952-T-A
2SA952 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
