Hersteller Produktnummer:
2SC3649T-TD-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3649T-TD-E-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 120MHz 500 mW Surface Mount PCP
Inventar:
7439 Stück Neu Original Auf Lager
12833079
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2SC3649T-TD-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
500 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
PCP
Basis-Produktnummer
2SC3649
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2SC3649T-TD-EOSTR
2832-2SC3649T-TD-E
2156-2SC3649T-TD-E
2SC3649T-TD-EOSDKR
2SC3649T-TD-E-DG
2SC3649T-TD-EOSCT
ONSONS2SC3649T-TD-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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