Hersteller Produktnummer:
2SC3399
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3399-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole 3-SPA
Inventar:
29270 Stück Neu Original Auf Lager
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2SC3399 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
300 mW
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SSIP
Gerätepaket für Lieferanten
3-SPA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
6,662
Andere Namen
2156-2SC3399
ONSONS2SC3399
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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