Hersteller Produktnummer:
2SC3361-6-TB-E-ON
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3361-6-TB-E-ON-DG
Beschreibung:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 150 mW Surface Mount 3-CP
Inventar:
30000 Stück Neu Original Auf Lager
12941208
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2SC3361-6-TB-E-ON Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Leistung - Max
150 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
3-CP
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,567
Andere Namen
ONSONS2SC3361-6-TB-E
2156-2SC3361-6-TB-E-ON
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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