Hersteller Produktnummer:
2SC3039M-RA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SC3039M-RA-DG
Beschreibung:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 7 A 20MHz 1.75 W Through Hole TO-220
Inventar:
2200 Stück Neu Original Auf Lager
12930824
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2SC3039M-RA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 800mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 800mA, 5V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
20MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
523
Andere Namen
2156-2SC3039M-RA
ONSSNY2SC3039M-RA
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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