Hersteller Produktnummer:
2SB927T-AE
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SB927T-AE-DG
Beschreibung:
2SB927 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 2.5 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventar:
8000 Stück Neu Original Auf Lager
12974036
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SB927T-AE Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2.5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 75mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
3-MP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,664
Andere Namen
2156-2SB927T-AE-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BC857C_R1_00001
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
BC857A_R1_00001
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
NSVBCH807-25LT1G
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
