Hersteller Produktnummer:
2SB507D
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SB507D-DG
Beschreibung:
TRANSISTOR FOR AF POWER AMP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 8MHz 1.75 W Through Hole TO-220
Inventar:
27732 Stück Neu Original Auf Lager
12933300
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2SB507D Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 1A, 2V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
8MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
634
Andere Namen
ONSONS2SB507D
2156-2SB507D
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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