Hersteller Produktnummer:
2SB1216T-TL-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SB1216T-TL-E-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 100V 4A TP-FA
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Surface Mount TP-FA
Inventar:
12836203
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2SB1216T-TL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
TP-FA
Basis-Produktnummer
2SB1216
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
700
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD32C-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2425
TEILNUMMER
MJD32C-13-DG
Einheitspreis
0.16
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Teilenummer
MJD32CQ-13
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