Hersteller Produktnummer:
2SA1253T-SPA-ON
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SA1253T-SPA-ON-DG
Beschreibung:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Through Hole 3-SPA
Inventar:
28396 Stück Neu Original Auf Lager
12940540
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SA1253T-SPA-ON Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 5V
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SSIP
Gerätepaket für Lieferanten
3-SPA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,664
Andere Namen
2156-2SA1253T-SPA-ON
ONSONS2SA1253T-SPA
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SB764E-SSH-ON
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
PBSS5130QA,147
PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP LOW V
2N5550/D26Z
TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
