Hersteller Produktnummer:
2N7002LT7G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N7002LT7G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
52469 Stück Neu Original Auf Lager
12836419
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N7002LT7G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
115mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
2N7002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,500
Andere Namen
2N7002LT7G-DG
488-2N7002LT7GTR
488-2N7002LT7GCT
488-2N7002LT7GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SJ661-1E
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
FQP5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
2SK4177-DL-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
