Hersteller Produktnummer:
2N7000BU_T
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N7000BU_T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12836118
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2N7000BU_T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
2N7000
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2N7000-G
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
2790
TEILNUMMER
2N7000-G-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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