2N6519BU
Hersteller Produktnummer:

2N6519BU

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2N6519BU-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Inventar:

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12834597
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2N6519BU Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N6519

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2N6519BU
HTML-Datenblatt
2N6519BU-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
ZTX757
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
ZTX757-DG
Einheitspreis
0.24
ERSATZART
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Teilenummer
ZTX957
HERSTELLER
Diodes Incorporated
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0
TEILNUMMER
ZTX957-DG
Einheitspreis
0.45
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
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certification_015
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