2N5830
Hersteller Produktnummer:

2N5830

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2N5830-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 200 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Inventar:

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2N5830 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N5830

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2N5830
HTML-Datenblatt
2N5830-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2N5830-NDR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
ZTX453
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2634
TEILNUMMER
ZTX453-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
Similar
Teilenummer
ZTX853
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2687
TEILNUMMER
ZTX853-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
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Teilenummer
ZTX653
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
ZTX653-DG
Einheitspreis
0.28
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
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cr
certification_015
certification_08
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