Hersteller Produktnummer:
2N5770_D75Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N5770_D75Z-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 15V TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 15V 50mA 350mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12834064
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Menge
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2N5770_D75Z Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
15V
Frequenz - Übergang
-
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
6dB @ 60MHz
Gewinnen
15dB
Leistung - Max
350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N5770
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BFP650H6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
226342
TEILNUMMER
BFP650H6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.14
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