Hersteller Produktnummer:
2N5551
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N5551-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
12834156
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2N5551 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
2N5551
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
2N5551OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBT5551_R1_00001
HERSTELLER
Panjit International Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
28737
TEILNUMMER
MMBT5551_R1_00001-DG
Einheitspreis
0.02
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