Hersteller Produktnummer:
2N5550G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N5550G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
12835384
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N5550G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
140 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
2N5550
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
2156-2N5550G-ON
2N5550GOS
ONSONS2N5550G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
ZTX455
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
1104
TEILNUMMER
ZTX455-DG
Einheitspreis
0.24
ERSATZART
Similar
Teilenummer
MMBT5550LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
86997
TEILNUMMER
MMBT5550LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N5089RLRA
TRANS NPN 25V 0.05A TO92
2SD1803S-TL-H
TRANS NPN 50V 5A TP-FA
2SD1835T-AA
TRANS NPN 50V 2A 3NP
