PUMH2/HE115
Hersteller Produktnummer:

PUMH2/HE115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PUMH2/HE115-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12936475
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Menge
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PUMH2/HE115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
*
Produktstatus
Active

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,876
Andere Namen
NEXNXPPUMH2/HE115
2156-PUMH2/HE115

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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