Hersteller Produktnummer:
PUMB9/ZL115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PUMB9/ZL115-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventar:
12934936
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EINREICHEN
PUMB9/ZL115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
180MHz
Leistung - Max
300mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSSOP
Basis-Produktnummer
PUMB9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
6,000
Andere Namen
NEXNXPPUMB9/ZL115
2156-PUMB9/ZL115
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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