Hersteller Produktnummer:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Beschreibung:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12996758
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PSMN8R5-100ESFQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
97A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3181 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
183W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
437
Andere Namen
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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