PSMN2R8-40BS,118
Hersteller Produktnummer:

PSMN2R8-40BS,118

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PSMN2R8-40BS,118-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

6867 Stück Neu Original Auf Lager
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PSMN2R8-40BS,118 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4491 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
211W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
333
Andere Namen
2156-PSMN2R8-40BS,118
NEXNEXPSMN2R8-40BS,118

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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