PHX18NQ11T,127
Hersteller Produktnummer:

PHX18NQ11T,127

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PHX18NQ11T,127-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 110V 12.5A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 110 V 12.5A (Tc) 31.2W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventar:

12811239
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PHX18NQ11T,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
110 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
635 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
PHX18

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
PHX18NQ11T
PHX18NQ11T-DG
934057815127

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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