Hersteller Produktnummer:
PHW80NQ10T,127
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PHW80NQ10T,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
12822281
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PHW80NQ10T,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4720 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
263W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
PHW80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
PHW80NQ10T
PHW80NQ10T-DG
934055695127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFP4310ZPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1902
TEILNUMMER
IRFP4310ZPBF-DG
Einheitspreis
2.10
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFH110N10P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFH110N10P-DG
Einheitspreis
3.80
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTQ110N10P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTQ110N10P-DG
Einheitspreis
3.43
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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