Hersteller Produktnummer:
PDTC143TS,126
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PDTC143TS,126-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12878941
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Menge
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PDTC143TS,126 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
500 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
PDTC143
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
PDTC143TS AMO-DG
934057572126
PDTC143TS AMO
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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