PDTB113EU,115
Hersteller Produktnummer:

PDTB113EU,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTB113EU,115-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

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PDTB113EU,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
140 MHz
Leistung - Max
300 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTB143EU115 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,036
Andere Namen
NEXNXPPDTB113EU115
2156-PDTB113EU,115

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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