PDTA114YS,126
Hersteller Produktnummer:

PDTA114YS,126

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PDTA114YS,126-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-92-3

Inventar:

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13072276
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PDTA114YS,126 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Hersteller
NXP USA Inc.
Reihe
-
Verpackung
Tape & Box (TB)
Status des Teils
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
500 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
PDTA114

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
PDTA114YS AMO
PDTA114YS AMO-ND
934057576126

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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