PDTA114TM315
Hersteller Produktnummer:

PDTA114TM315

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

PDTA114TM315-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount DFN1006-3

Inventar:

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PDTA114TM315 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
PDTA114T
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTA114TM315
HTML-Datenblatt
PDTA114TM315-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
11,871
Andere Namen
2156-PDTA114TM315-NXP
NEXPHIPDTA114TM315

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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