PBSS4160PANPS115
Hersteller Produktnummer:

PBSS4160PANPS115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PBSS4160PANPS115-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 175MHz, 125MHz 370mW Surface Mount DFN2020D-6

Inventar:

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PBSS4160PANPS115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
220mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
290 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
370mW
Frequenz - Übergang
175MHz, 125MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020D-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PBSS4160PANPS115
HTML-Datenblatt
PBSS4160PANPS115-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,112
Andere Namen
NEXNXPPBSS4160PANPS115
2156-PBSS4160PANPS115

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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