PBLS2002S,115
Hersteller Produktnummer:

PBLS2002S,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PBLS2002S,115-DG

Beschreibung:

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO

Inventar:

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PBLS2002S,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 3A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 20V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA, 100nA
Frequenz - Übergang
100MHz
Leistung - Max
1.5W
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
PBLS20

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PBLS2002S,115
HTML-Datenblatt
PBLS2002S,115-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
568-7229-6
NEXNXPPBLS2002S,115
PBLS2002S115
934060278115
PBLS2002S T/R
2156-PBLS2002S115
PBLS2002S,115-DG
568-7229-1
568-7229-2
PBLS2002S T/R-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
PBLS2022D,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
20
TEILNUMMER
PBLS2022D,115-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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