PBLS1503V,115-NXP
Hersteller Produktnummer:

PBLS1503V,115-NXP

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PBLS1503V,115-NXP-DG

Beschreibung:

0.1A 50V 2-ELEMENT NPN AND PNP
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 15V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666

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PBLS1503V,115-NXP Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 15V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA, 100nA
Frequenz - Übergang
280MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PBLS1503

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PBLS1503V,115

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,806
Andere Namen
2156-PBLS1503V115-NXP
NEXPHIPBLS1503V,115

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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