Hersteller Produktnummer:
PBHV8515QA147
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PBHV8515QA147-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 500 mA 75MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventar:
12936325
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PBHV8515QA147 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 200mA, 10V
Leistung - Max
325 mW
Frequenz - Übergang
75MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010D-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,540
Andere Namen
2156-PBHV8515QA147
NEXNXPPBHV8515QA147
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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