Hersteller Produktnummer:
PBHV8115T,215
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
PBHV8115T,215-DG
Beschreibung:
NEXPERIA PBHV8115T - 150 V, 1 A
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1 A 30MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
1436453 Stück Neu Original Auf Lager
12996948
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EINREICHEN
PBHV8115T,215 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
350mV @ 200mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Leistung - Max
300 mW
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,050
Andere Namen
2156-PBHV8115T,215-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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