Hersteller Produktnummer:
NX7002BKM315
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
NX7002BKM315-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount DFN1006-3
Inventar:
12937594
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NX7002BKM315 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
23.6 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006-3
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
15,000
Andere Namen
2156-NX7002BKM315
NEXNXPNX7002BKM315
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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