Hersteller Produktnummer:
BUT12AI,127
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BUT12AI,127-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A 110 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
13066288
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Menge
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BUT12AI,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
450 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 860mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
14 @ 1A, 5V
Leistung - Max
110 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Basis-Produktnummer
BUT12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
934050220127
BUT12AI
BUT12AI-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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