Hersteller Produktnummer:
BUK9E04-30B,127
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BUK9E04-30B,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
13066337
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BUK9E04-30B,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6526 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
254W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
BUK9
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
BUK9E04-30B
BUK9E04-30B,127-ND
954-BUK9E04-30B127
BUK9E04-30B-ND
568-6637-5
2156-BUK9E04-30B127
934058069127
NEXNXPBUK9E04-30B,127
568-6637
568-6637-ND
BUK9E0430B127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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