BUK752R3-40E,127
Hersteller Produktnummer:

BUK752R3-40E,127

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

BUK752R3-40E,127-DG

Beschreibung:

NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 293W (Ta) Through Hole TO-220AB

Inventar:

1270 Stück Neu Original Auf Lager
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BUK752R3-40E,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
109.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
293W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BUK752R3-40E,127
HTML-Datenblatt
BUK752R3-40E,127-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
333
Andere Namen
2156-BUK752R3-40E,127-954

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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