Hersteller Produktnummer:
BUK7507-30B,127
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BUK7507-30B,127-DG
Beschreibung:
PFET, 75A I(D), 30V, 0.007OHM, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
4611 Stück Neu Original Auf Lager
12975903
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BUK7507-30B,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2427 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
157W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
740
Andere Namen
2156-BUK7507-30B127
NEXNXPBUK7507-30B,127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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