BUK652R7-30C,127
Hersteller Produktnummer:

BUK652R7-30C,127

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

BUK652R7-30C,127-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

12867376
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

BUK652R7-30C,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6960 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
204W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
BUK65

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
954-BUK652R7-30C127
NEXNXPBUK652R7-30C,127
568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-DG
BUK652R730C127
2156-BUK652R7-30C127-NX

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
littelfuse

IXFK21N100F

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

vishay-siliconix

IRF520SPBF

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFB13N50A

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB

vishay-siliconix

IRF624STRR

MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK