BLT70,115
Hersteller Produktnummer:

BLT70,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

BLT70,115-DG

Beschreibung:

RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 8V 250mA 900MHz 2.1W Surface Mount SC-73

Inventar:

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12809256
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BLT70,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
8V
Frequenz - Übergang
900MHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
-
Gewinnen
-
Leistung - Max
2.1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
25 @ 100mA, 4.8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
250mA
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SC-73
Basis-Produktnummer
BLT7

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BLT70,115
HTML-Datenblatt
BLT70,115-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BLT70 T/R
934032210115
BLT70 T/R-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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