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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BFU710F,115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BFU710F,115-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 2.8V 10mA 43GHz 136mW Surface Mount 4-DFP
Inventar:
9250 Stück Neu Original Auf Lager
13066295
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EINREICHEN
BFU710F,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
NXP USA Inc.
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
2.8V
Frequenz - Übergang
43GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Gewinnen
-
Leistung - Max
136mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-343F
Gerätepaket für Lieferanten
4-DFP
Basis-Produktnummer
BFU710
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BFU710F,115
HTML-Datenblatt
BFU710F,115-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
934064613115
954-BFU710F115
568-8456-1
BFU710F115
BFU710F,115-ND
568-8456-2
NXPNXPBFU710F,115
2156-BFU710F,115
568-8456-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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