Hersteller Produktnummer:
BC859CW135
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BC859CW135-DG
Beschreibung:
NOW NEXPERIA BC859CW - SMALL SIG
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Inventar:
12946140
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BC859CW135 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
NEXNXPBC859CW135
2156-BC859CW135
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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