BC859B,215
Hersteller Produktnummer:

BC859B,215

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

BC859B,215-DG

Beschreibung:

NEXPERIA BC859B - SMALL SIGNAL B
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB

Inventar:

9498000 Stück Neu Original Auf Lager
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BC859B,215 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Leistung - Max
250 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2156-BC859B,215-954

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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