Hersteller Produktnummer:
BC53PAS115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BC53PAS115-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 145MHz 420 mW Surface Mount DFN2020D-3
Inventar:
12968266
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BC53PAS115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Leistung - Max
420 mW
Frequenz - Übergang
145MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-PowerUDFN
Gerätepaket für Lieferanten
DFN2020D-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,768
Andere Namen
2156-BC53PAS115
NEXNXPBC53PAS115
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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