Hersteller Produktnummer:
2PD2150,115
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
2PD2150,115-DG
Beschreibung:
NEXPERIA 2PD2150 - POWER BIPOLAR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 3 A 220MHz 2 W Surface Mount SOT-89
Inventar:
8026 Stück Neu Original Auf Lager
12996634
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2PD2150,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
220MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-243AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-89
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,652
Andere Namen
2156-2PD2150,115-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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