Hersteller Produktnummer:
2N5551,412
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
2N5551,412-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.3A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
13066365
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N5551,412 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
-
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status des Teils
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
630 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N55
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
933215530412
2N5551P-ND
2N5551P
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N5401,116
TRANS PNP 150V 0.3A TO92-3
2PA1576S/ZLX
TRANS PNP GEN PURPOSE SC70
2PA1576R/ZLX
TRANS PNP GEN PURPOSE SC70
