KFJ4B01100L
Hersteller Produktnummer:

KFJ4B01100L

Product Overview

Hersteller:

Nuvoton Technology Corporation

Teilenummer:

KFJ4B01100L-DG

Beschreibung:

TMOS
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (0.8x0.8)

Inventar:

13004040
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

KFJ4B01100L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nuvoton Technology Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
459 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-CSP (0.8x0.8)
Paket / Koffer
4-XFLGA, CSP
Basis-Produktnummer
KFJ4

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
20,000
Andere Namen
816-KFJ4B01100LTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
goford-semiconductor

G7P03D2

P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH