NTE2370
Hersteller Produktnummer:

NTE2370

Product Overview

Hersteller:

NTE Electronics, Inc

Teilenummer:

NTE2370-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V TO92S
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Through Hole TO-92S

Inventar:

457 Stück Neu Original Auf Lager
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NTE2370 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92S
Basis-Produktnummer
NTE23

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NTE23xx Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE2370

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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