Hersteller Produktnummer:
NTE2018
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
NTE2018-DG
Beschreibung:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Inventar:
22 Stück Neu Original Auf Lager
12950372
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EINREICHEN
NTE2018 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
1W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-20°C ~ 85°C (TA)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket für Lieferanten
18-PDIP
Basis-Produktnummer
NTE20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE2018
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
DIGI-Zertifizierung
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